Modélisation de la croissance épitaxiale par jets moléculaires (MBE) avec la méthode de Monte Carlo Cinétique (KMC)

Abstract

L’étude de la surface de GaAs (001) a fait l’intérêt de plusieurs études expérimentales et théoriques depuis les trois dernières décennies, car elle fait l’élément de base dans la structure de la plus part des composants électroniques. Notre étude a porté sur ce point, qui est la modélisation et la simulation de la croissance épitaxiale par jets moléculaires. Pour celà, on présente dans un premier lieu le modèle de la reconstruction de la surface Bêta2(2x4) de GaAs(001). Ce modèle inclus tous les détails microscopiques de la croissance homoépitaxie par jets moléculaires tels que la reconstruction de surface et la structure zinc blende du cristal afin de déterminer la morphologie et la rugosité de la surface formée après une croissance cristalline. Nous avons ensuite effectué une simulation de la croissance épitaxiale particulièrement la homoépitaxie de GaAs sur GaAs et InAs sur InAs à partir d’un flux de As2, en utilisant la méthode de monte catlo cinétique et la caractérisation in situ (en temps réel) par la diffraction RHEED et le courant de photoémission.