Magister en GEE
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Item Etude des performances d’un transistor Pseudomorphique à base de AlGaAs/InGaAs/GaAs (PHEMT)(2014-07-02) Sebbati, NaimaL’objectif de ce travail est de concevoir et étudier les performances de transistor PHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs. Cette étude est menée à l’aide de simulateur SILVACO, et nous avons obtient des bonnes résultats, il serait souhaitable d’approfondir encore plus cette étude.Item Effet tunnel, Calcul de la fréquence d’inversion de la molécule d’Ammoniac, Application au Maser à Ammoniac.(2014-02-04) Benfoula, Mohammed El AminDans ce travail nous avons tout d’abord étudié l’effet tunnel, ensuite, cherché à mettre en évidence l’existence de deux niveaux d’énergie et calculé la fréquence d’émission /absorption associée, à partir des méthodes d’approximations permettant de résoudre l’équation de Schrödinger. Et aussi détailler le mécanisme de l’émission stimulée et la dynamique interne de la molécule en particulier les mouvements d’oscillations sur laquelle repose le principe du Maser à Ammoniac.Item Modélisation et Ordonnancement temps réel d’un Job shop à l’aide des métaheuristiques(2014-02-02) Houbad, YaminaLes problèmes d’ordonnancement sont souvent classés NP-Difficiles. Leur résolution nécessite des méthodes dédiées à leur degré de complexité ; pour cette raison plusieurs heuristiques et métaheuristiques ont été conçues. Notre étude se situe dans le cadre d’adaptation des métaheuristiques pour la résolution d’un problème d’ordonnancement dans un système flexible de production (FMS). La première métaheuristique est l’algorithme mimétique, et la deuxième est l’algorithme API basé sur le comportement de fourragement d’une espèce de fourmis primitives dites les Pachycondyla apicalis. Dans ce deuxième algorithme, nous avons introduit une petite modification qui a conduit à des changements majeurs dans les résultats obtenus. L’algorithme obtenu est ensuite nommé APIm. Les résultats obtenus par les deux algorithmes sont comparés à ceux obtenus par l’algorithme génétique (GA) et par l’algorithme des colonies de fourmis (ACO). Les résultats montrent que l’algorithme mimétique donne, en général, les meilleurs résultats comparé aux autres métaheuristiques. L’algorithme APIm donne de bons résultats comparé à l’ACOItem Etude et simulations d’un transistor MOS vertical(2014-02-02) Kebib, AbdelazzizL’évolution de la technologie CMOS actuelle a pour but de concevoir des Transistors et par conséquence des circuits intégrés dans les échelles submicronique Cette réduction d’échelle a concerné évidement les dimensions de la zone active du Transistor MOSFET. La miniaturisation s’accompagne indéniablement d’effets indésirables appelés effets canaux courts (SCE) qui viennent s’ajouter à la difficulté de la réalisation de ces dispositifs de petites dimensions. L’apparition des nouveaux procédés de fabrication notamment la photolithographie a donné naissance à de nouvelles architectures pour les transistors MOSFETs avec une orientation verticale du canal. Ce procédé a permis entre autre, un meilleur contrôle des effets canaux courts. Le travail effectué dans ce mémoire nous a permis une étude théorique et de simulation un transistor MOSFET à canal vertical. Ce travail fut réalisé par le biais du simulateur SILVACO- TCAD et nous a permis d’examiner les caractéristiques électriques d’une telle structure pour laquelle nous avons pu examiner les effets de la variation de certains de ses paramètres sur ses caractéristiques électriquesItem Etude et modélisation d’un transistor HEMT AlGaN/GaN(University of Tlemcen, 2012-06) Abdelmoumene, MestariaDurant ces dernières années, le développement des composées III-V a été spectaculaire. En effet, ces composés présentent des performances bien supérieures à celles des semiconducteurs plus classiques comme le silicium. Ce sont des matériaux de choix pour toutes les applications microélectroniques et optoélectroniques. Or les caractéristiques de ces matériaux et de leurs composants sont sensibles à l’état de surface et à l’interface. L’étude du fonctionnement des différents types de composants électroniques passe par une maîtrise préalable des phénomènes physiques régissant les propriétés des électrons dans le semiconducteur. Il est donc essentiel de comprendre les mécanismes de formation des héterostructures et des nanostructures pour maîtriser au mieux la technologie des composants réalisés, à l'heure où les nanotechnologies ouvrent de nouvelles voiesItem Classification des Signaux Phonocardiogrammes sur la Base de L’étude du Rapport SNR(2012) Boudghene Stambouli, ZinebLe signal phonocardiogramme PCG traduit l’activité cardiaque du sujet avec beaucoup de précision que le simple test du cardiologue. Il surmonte ainsi les limitations auditives de l’homme. Afin de répondre au choix délicat du type d’ondelette, et afin de mettre plus en relief l’analyse des signaux PCG en fonction de l’importance de leur souffles surajoutés nous essayerons d’appliquer un certain nombre d’ondelettes orthogonales et bi-orthogonales dans l’analyse du signal PCG d’un sujet sain, auquel on ajoute graduellement différents degré de bruit et à chaque fois on mesure la valeur du rapport signal sur bruit RSB par utilisation de la version discrète (TOD) de la transformée en ondelettes. Ce Rapport apparaît comme un paramètre très important à prendre en considération dans la classification des signaux PCG.Item ELABORATION DE NANOPARTICULES HYBRIDES PAR LA METHODE CITRATE : FONCTIONNALISATION ET CARACTERISATION(2012) Zargou, SalemLes Nanoparticules sont généralement définies comme des particules discrètes entre 1 et 50 nm dans la taille. Elles peuvent être dispersées dans l'eau ("hydrosols") ou des solvants organiques ("organosols"), selon les conditions de préparation et les agents recouvrants qui entourent les particules. Le nombre d'applications potentielles de ces particules colloïdales se développe rapidement en raison de leurs propriétés électroniques, optiques, magnétiques et catalytiques comparées au matériau en vrac et aux molécules correspondants. En outre, des réseaux structurés en un, deux et trois dimensions assemblés par des sphères colloïdales monodisperses avec des tailles bien ajustées et des propriétés bien définies (en surface et volume) ont montré aussi bien un certain nombre d’application uniques. Les nanoparticules d'or sont certains des nanomatériaux les plus étudiés, avec des applications prometteuses dans de nombreuses domaines tels que l'électronique, l'optoélectronique, la catalyse et la biologie. Afin de protéger les nanoparticules d'or nus de l’agrégation, de manipuler les propriétés optiques, électroniques et catalytiques du noyau d'or, aussi bien que de contrôler les propriétés d’interface, les nanoparticules d'or sont généralement recouvertes par une couche organique. Les propriétés d’interface d'une surface d'or dérivatisées avec une monocouche auto-assemblée seront ainsi réglées par les fonctionnalités présentes sur la face externe de la monocouche. La synthèse, la fonctionnalisation et la structure de surface des nanoparticules d’or protégée d’une monocouche ont été intensivement étudiées récemment. En outre, l’agrégation et la dispersion des nanoparticules colloïdales d’or est l'une des questions clés liées à leurs applications potentielles. Ici l'attention particulière a été accordée au contrôle de la stabilité colloïdale en utilisant le citrate de sodium. Les spectres d’absorption optiques des AuNPs sont enregistrés avec un spectrophotomètre UV-vis de 400 à 800 nm en maintenant la concentration d’or constante dans le soluté. La taille de particule est environ 16.2 nm, qui est mesurée par la microscopie électronique à transmission.Item ETUDE ET SIMULATION DE CELLULES PHOTOVOLTAIQUES A CONTACTS ARRIERES INTERDIGITÉS SOUS ENVIRONNEMENT SILVACO(2012) Mohammedi, MohammedCes dernières années un engouement particulier a été donné au remplacement des énergies fossiles et fissiles, épuisables, dangereuses et polluantes, par les énergies renouvelables et en particulier le solaire, propres et inépuisables. Grace à l’effet photovoltaïque la conversion de l’énergie solaire en électricité est possible. Depuis les années cinquante plusieurs travaux et élaborations des dispositifs photovoltaïques ont été élaborés. Les premiers travaux étaient destinés surtout à l’aérospatial. Aujourd’hui les applications du photovoltaïque sont multiples. Parmi ces dispositifs celui qui nous intéresse dans ce travail est la cellule photovoltaïque interdigitée à contact arrière. Se travail est consacré à l’état de l’art des cellules photovoltaïques, puis à l’étude théorique des cellules interdigitées à contact arrière et la simulation de certains de ses paramètres physiques (épaisseurs du substrat, de l’émetteur et du BSF ainsi que le dopage), par le logiciel Silvaco-AtlasItem CONCEPTION ET MODELISATION D’UN ACCELEROMETRE MICROELECTRONIQUE TRIAXIAL(2012-06-26) Benichou, AbdelkaderLes microsystèmes (MEMS, Micro-Electro-Mechanical Systems) sont des composants miniaturisés réunissant des fonctions électroniques, mécaniques sur la même puce, permettant la réalisation de systèmes entiers sur une puce (System on Chip). En plus, cette intégration permettra de miniaturiser le système, d’améliorer ses performances, d'augmenter la sensibilité et de diminuer le bruit grâce à la réduction de la taille des composants. L’objectif de cette thèse est la conception, la modélisation et l’optimisation d’accéléromètres microélectronique monolithique CMOS uniaxial et triaxial en utilisant la technologie MEMS. Après un état de l’art sur la recherche bibliographie des MEMS, leurs applications et les différents types de transductions MEMS utilisés pour la mesure de l’accélération, nous avons retenu une technique compatible avec la technologie CMOS, c’est la transduction piézorésistive. Ceci a été fait pour des raisons de simplicité et de linéarité de la réponse. Dans le second chapitre, nous avons fait une étude théorique de la piézorésistivité avec une présentation des modèles de jauges piézorésistives en silicium monocristallin et en polycristallin. Dans le troisième chapitre, l’objectif a été la mesure de l’accélération verticale par la détection piézorésistive. Il s’agit de mesurer la déformation d’une micropoutre au bout duquel est fixée une masse, par les variations de résistances de jauges de contraintes logées à l’encastrement. Nous avons présenté une modélisation du microlevier "T-Shape" et établi les relations qui décrivent le comportement mécanique et électromécanique du microlevier dans les domaines statique et dynamique. Nous avons proposé un conditionneur électronique pour la transformation de la déformation de la structure causée par l’accélération en un signal électrique. Ce circuit est composé d’un pont de Wheatstone à deux jauges de contraintes. Une analyse par éléments finis sous ANSYS de la répartition des contraintes nous a permet d’étudier les sensibilités hors axes, de calculer et tracer les sensibilités électroniques. Le chapitre quatre expose la conception et la simulation d’un accéléromètre triaxial basé sur la technologie des MEMS avec une sensibilité uniforme. L'effet piézorésistif a été utilisé comme principe de détection du capteur. L'aspect le plus important de l'analyse par éléments finis sous ANSYS dans notre processus de conception est l'analyse de la répartition des contraintes dans les quatre micropoutres. L'analyse des contraintes a été effectuée afin de déterminer l’emplacement optimal des piézorésistances dopées sur ces micropoutres, de calculer la sensibilité et vérifier la linéarité. Enfin, le cinquième chapitre décrit les étapes technologiques essentielles à la fabrication des accéléromètres.Item Génération de trajectoire optimale pour les systèmes mécaniques sous actionnés(2012-07) Zatla, HichamLes systèmes mécaniques sous actionnés sont des systèmes qui possède un nombre de degré de liberté supérieur au nombre de commande, souvent on se trouve dans cette situation lorsque l'un d'actionneur tombe en panne. Dans ces systèmes on cherche les trajectoires qui permettent d'aller d'une con figuration initial à une con figuration finale désirée dans un minimum de temps.Item Etude des caractéristiques physiques et électriques d'un MOSFET nanométrique(2012) Benhamida, YahiaL’électronique et l’informatique ont accompli d’énormes progrès en un temps record. En moins de soixante ans, tous les dispositifs ont subi de profondes modifications. Vu les besoins incessant du consommateur le contraignant à utiliser des équipements de tailles de plus en plus réduite et consommant le moins possible nous avons pu assister cette dernière décennie à une course immodérée vers la miniaturisation des dispositifs et par conséquent des circuits ce qui ne permettait plus d’utiliser les transistors MOSFET conventionnels sur bulk à canal long. Une des principales conséquences de la réduction des circuits s’accompagnant de la réduction de la géométrie des composants voire des transistors MOSFET les constituant dans le cas des circuits conçus en technologie CMOS. Cette réduction de la taille des dispositifs s’accompagne indéniablement de la réduction de l’épaisseur de l’oxyde de grille des transistors MOSFET, de leur longueur ect … cependant quand la longueur de la grille s’approche des valeurs nanométriques, l’utilisation du transistor MOS conventionnel devient quasiment impossible. Par conséquent il devient indispensable de trouver de nouvelles solutions, voir de trouver de nouvelles structures pour pallier aux problèmes posé par les MOSFET conventionnels devenus inefficaces dans la gamme du nanomètre. Il s’est avéré que de nouvelles architectures de transistors MOSFET multi grilles ont pu donner des résultats assez prometteurs en régime nanométrique. Notre travail consiste à concevoir et simuler les caractéristiques d’un transistor MOSFET nanométrique à double grille planaire par le biais du logiciel de simulation numérique du process et dispositifs SILVACO-TCAD, nous avons alors pu par le biais du même logiciel faire varier les paramètres technologiques de notre structure et examiner ainsi l’effet de ces variations sur les caractéristiques électrique de notre DG-nMOSFET.Item Caractérisation du phénomène de transport électronique dans les matériaux composés ternaires : Application au matériau GaxIn1-xSb(2011) El Ouchdi, Ahmed AmineLe développement qu’a connu le domaine de la micro-électronique est dû en grande partie aux évolutions techniques et en particulier à la miniaturisation des dispositifs semi-conducteurs, mais aussi à l’utilisation de nouveaux matériaux tel que les matériaux composés III-V pour les applications dans l’optoélectronique et l’électronique de puissance. Dans le but d’étudier les caractérisations du phénomène du transport électronique dans les matériaux composés ternaires et plus précisément dans le matériau GaxIn1-xSb, on a utilisé la simulation numérique basée sur les méthodes de Monte Carlo. Ce modèle consiste à simuler le comportement des électrons dans les semi-conducteurs qui se fait en deux étapes successives ; le libre parcours moyen et les collisions avec le réseau, et de tirer par la suite les fonctions de distribution des électrons de la bande de conduction qui sont similaires à ceux trouvés par la résolution de l’équation de Boltzmann. Pour cela, on a employé un modèle qui tient compte que de trois vallées isotropes et non paraboliques de la bande de conduction , L, et X. Les résultats obtenus sont satisfaisants après leurs comparaisons avec d’autres résultats expérimentaux existant dans la littérature. Ils nous renseignent sur la dynamique électronique ainsi que le comportement dans les hauts champs électriques et hautes températures de ce matériau.Item MODELISATION DE LA PROPAGATION D’UNE IMPULSION LASER ULTRA-BREVEA TRAVERS UN SYSTEME OPTIQUE A COMPENSATION DE DISPERSION(2007) Baba Ahmed, AbdelazizDes impulsions lasers de durée temporelle de l’ordre de quelques femtosecondes (1 fs = 10-15 s) ont déjà été obtenues. Ces impulsions présentent un étalement temporel très important lors de leur propagation dans la matière en occurrence la fibre optique utilisée dans le domaine des télécommunications, et de ce fait elles deviennent très fragiles. Nous proposons l’étude de systèmes optiques (compresseurs) à base de prismes et de réseaux permettant d’engendrer une dispersion négative et par conséquent de compenser les effets dispersifs et restituer ainsi le signal. Ce même principe est utilisé actuellement dans le domaine des télécommunications où des réseaux de Bragg sont photogravés dans la fibre optique.Item Optimisation du rendement des cellules photovoltaiques à heterojonctions GaInP/GaAs(2011) Djeriouat, KhadidjaLa consommation d’énergie est nécessaire au développement social et économique. Ces médiocrités rappellent l’extrême importance de la maîtrise énergétique : savoir créer de l’énergie, savoir l’économiser aussi, il y a un compromis entre la production et la consommation et par suite il faut entrer dans une logique forte d’économies d’énergie et augmenter nettement la part des énergies renouvelables. La conversion photovoltaïque est la transformation directe d’une énergie électromagnétique en énergie électrique continue. Cette énergie électromagnétique est le plus souvent le rayonnement solaire. Dans ce travail, nous avons réalisé une cellule solaire à hétérojonction à base des matériaux InGaP/GaAs dans le but d’optimiser le rendement en agissant sur quelques éléments constituant la cellule.Item Etude et conception dantennes ultra large bande(2011) Ziani Kerarti, DjalalItem CONCEPTION ET MODELISATION D'UN MICROLEVIER PIEZORESISTIF APPLICATION AU MICROSCOPE A FORCE ATOMIQUE(2011-06) Medjahdi, NadjiaItem Influence de la lumiere sur le comportement a l'indentation de verres pour l'infra-rouge(2011-01-08) Dergal, AsmaCe travail est consacré à l'étude de l'influence de la lumière sur les propriétés mécaniques (2lastiques) des verres chalcogénures qui sont des matériaux transparents dans l'infrarouges. Apres avoir résumé l'essentiel de la littérature bibliographique sur le verre en général et les verres chalcogénures, nous avons exposé la technique destinée à caractériser les propriétés élastiques: la nanoindentation. Le quatrième chapitre présente les métohde expérimentales utilisées dans ce mémoire ainsi que les résultats obtenus. Cela consiste à la préparation des échantillaons, l'échographie ultrasonore, la microindentation et en particulier l'indentation Vickers qui est la plus répandue, l'irradiation par le laser, et par les ultraviolets. Les differents phénomènes photoinduit: photoexpansion, photofluidité, photocristalisation, photorelaxation sont discutés.