Etude Ab Initio des Propriétés Structurales, Élastiques et Électroniques de l’Oxydo-Nitride GaZnNO.

dc.contributor.authorBoufatah, Réda Mohammeden_US
dc.date.accessioned2018-10-09T08:59:44Zen_US
dc.date.available2018-10-09T08:59:44Zen_US
dc.date.issued2018-06-15en_US
dc.description.abstractNous avons étudié les propriétés structurales et électroniques de la structure hypothétique cubique (GaN)1/(ZnO)1 en super-réseau. La stabilité de la structure est vérifiée par les propriétés élastiques et la comparaison de l'énergie totale avec sa phase stable wurtzite. L'énergie de gap calculée est légèrement indirecte et inférieure à celle des binaires parents GaN et ZnO. Ceci indique un fort paramètre de courbure. Nous avons constaté que l'origine de cette diminution est attribuée à la répulsion p-d de la liaison Zn-N et de la présence de l'électron p de l'oxygène. Nous espérons que nos résultats prédictifs de la phase zinc blende du (GaN)1/(ZnO)1 puissent servir comme référence pour les futurs travaux de recherche aussi bien théoriques qu’expérimentaux sur les matériaux non-isovalents.en_US
dc.identifier.citationsalles des thèsesen_US
dc.identifier.otherDOC-530en_US
dc.identifier.urihttps://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/13143en_US
dc.language.isofren_US
dc.publisherUniversity of Tlemcenen_US
dc.subjectDFT, FP-LAPW, GaNZnO, non-isovalent, Stabilité, Propriétés électroniques.en_US
dc.subjectDFT, FP-LAPW, GaNZnO, non-isovalent, Stability, Electronic Properties.en_US
dc.titleEtude Ab Initio des Propriétés Structurales, Élastiques et Électroniques de l’Oxydo-Nitride GaZnNO.en_US
dc.typeThesisen_US

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