Etude Ab Initio des Propriétés Structurales, Élastiques et Électroniques de l’Oxydo-Nitride GaZnNO.
| dc.contributor.author | Boufatah, Réda Mohammed | en_US |
| dc.date.accessioned | 2018-10-09T08:59:44Z | en_US |
| dc.date.available | 2018-10-09T08:59:44Z | en_US |
| dc.date.issued | 2018-06-15 | en_US |
| dc.description.abstract | Nous avons étudié les propriétés structurales et électroniques de la structure hypothétique cubique (GaN)1/(ZnO)1 en super-réseau. La stabilité de la structure est vérifiée par les propriétés élastiques et la comparaison de l'énergie totale avec sa phase stable wurtzite. L'énergie de gap calculée est légèrement indirecte et inférieure à celle des binaires parents GaN et ZnO. Ceci indique un fort paramètre de courbure. Nous avons constaté que l'origine de cette diminution est attribuée à la répulsion p-d de la liaison Zn-N et de la présence de l'électron p de l'oxygène. Nous espérons que nos résultats prédictifs de la phase zinc blende du (GaN)1/(ZnO)1 puissent servir comme référence pour les futurs travaux de recherche aussi bien théoriques qu’expérimentaux sur les matériaux non-isovalents. | en_US |
| dc.identifier.citation | salles des thèses | en_US |
| dc.identifier.other | DOC-530 | en_US |
| dc.identifier.uri | https://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/13143 | en_US |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.publisher | University of Tlemcen | en_US |
| dc.subject | DFT, FP-LAPW, GaNZnO, non-isovalent, Stabilité, Propriétés électroniques. | en_US |
| dc.subject | DFT, FP-LAPW, GaNZnO, non-isovalent, Stability, Electronic Properties. | en_US |
| dc.title | Etude Ab Initio des Propriétés Structurales, Élastiques et Électroniques de l’Oxydo-Nitride GaZnNO. | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |