Etude Ab Initio des Propriétés Structurales, Élastiques et Électroniques de l’Oxydo-Nitride GaZnNO.

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University of Tlemcen

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Nous avons étudié les propriétés structurales et électroniques de la structure hypothétique cubique (GaN)1/(ZnO)1 en super-réseau. La stabilité de la structure est vérifiée par les propriétés élastiques et la comparaison de l'énergie totale avec sa phase stable wurtzite. L'énergie de gap calculée est légèrement indirecte et inférieure à celle des binaires parents GaN et ZnO. Ceci indique un fort paramètre de courbure. Nous avons constaté que l'origine de cette diminution est attribuée à la répulsion p-d de la liaison Zn-N et de la présence de l'électron p de l'oxygène. Nous espérons que nos résultats prédictifs de la phase zinc blende du (GaN)1/(ZnO)1 puissent servir comme référence pour les futurs travaux de recherche aussi bien théoriques qu’expérimentaux sur les matériaux non-isovalents.

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