ASPECT DE MODELISATION DES PROPRIETES PHYSIQUES DES ALLIAGES SEMICONDUCTEURS II-VI A APPLICATION PHOTOVOLTAIQUE.

Abstract

Les propriétés de transport des électrons dans ZnSe, ZnTe et ZnS sont d'un grand intérêt en raison de leurs nombreuses applications technologiques notamment en application photovoltaïque. Dans ce travail, nous étudions les résultats des calculs de simulation de Monte Carlo. Les quantités moyennes directement accessibles par la simulation sont la vitesse de dérive, l'énergie et la diffusion des porteurs. La méthode que nous avons choisi pour l’étude des phénomènes de transport utilise un modèle à trois vallées non-paraboliques. Les résultats ont été obtenus en appliquant un champ électrique dans la direction <100>. Enfin, nous avons comparé nos résultats et nous avons conclu lequel de ces matériaux est le mieux adapté pour les applications photovoltaïques.Abstract The transport properties of electrons in ZnSe, ZnTe and ZnS are of great interest because of their numerous technological applications namely in photovoltaic application. In this work, we investigate several calculation results of Monte Carlo device simulation. The average quantities directly accessible by the simulation are the drift velocity, the energy s and diffusion of carrier. We choose the method to study the transport phenomena uses a three valley model non-parabolic. The results have been obtained by applying the electric field in the direction <100>. Finally, we compared our results and we concluded witch material is best suited for photovoltaic applications.