Simulation et optimisation d’une diode électroluminescente B(Ga,Al)N/GaN émettant dans l’ultraviolet

Abstract

Notre travail consiste à simuler et optimiser une diode électroluminescente ultraviolette à base de B(Ga, Al)N/GaN qui est une récente filière d’hétérostructure. Cette modélisation s’appuie sur l’étude des propriétés physiques et optiques des matériaux utilisés afin de concevoir une structure performante. L’utilisation du matériau ternaire BGaN nous a permis d’améliorer les performances de la diode UV tels que : le courant, la puissance émise, la densité spectrale de puissance, l’émission spontanée, la densité de flux spectrale et le rendement