Etude d’un photodétecteur ultraviolet (UV) à base d’Al(GaN) et simulation de ses propriétés optoélectroniques.

Abstract

Dans ce travail, nous avons étudié un dispositif photodétecteur AlGaN/GaN de type MSM. La modélisation et la simulation ont été effectuées en utilisant le simulateur SILVACO-TCAD : le diagramme de bandes d'énergie, le potentiel, le profil du champ électrique, les taux de génération et de recombinaison et la densité du courant de conduction ont été simulés. Sous obscurité, nous avons obtenu un courant inférieur à 0.2 µA pour une tension appliquée de 10 V ; sous lumière, nous avons obtenu un courant de 4 mA pour une tension de polarisation de 10 V, et une tension de seuil de l’ordre de 4 V. La vitesse des électrons diminuait quand la température augmentait, le meilleur courant est de 2.042 nA à une intensité lumineuse de 1 W/cm 2 pour une longueur d’onde égale à 350 nm. Le rendement quantique externe à 350 nm était de l’ordre de 69.58% pour AlGaN dopé.