Conception et simulation des caractéristiques électriques d'un transistor MOSFET nanométrique à conduction latéral de type tri-Gate(fin-FET

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dc.contributor.authorMerad, Faizaen_US
dc.date.accessioned2014-09-29T10:50:21Zen_US
dc.date.available2014-09-29T10:50:21Zen_US
dc.date.issued2014-09-11en_US
dc.identifier.urihttps://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/6096en_US
dc.language.isofren_US
dc.subjectMOSFET-FINFETen_US
dc.subjectModélisationen_US
dc.titleConception et simulation des caractéristiques électriques d'un transistor MOSFET nanométrique à conduction latéral de type tri-Gate(fin-FETen_US
dc.typeThesisen_US

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