Etude, conception et simulation numérique d’un transistor MOSFET biaxial contraint.

Abstract

Vu la forte demande de dispositifs électroniques plus rapides, de taille plus réduite et de plus grandes performances, les chercheurs et les fabricants des dispositifs à semi-conducteurs font beaucoup d’efforts pour faire face aux difficultés et défis afin d’améliorer les performances de ces dispositifs à semi-conducteurs. Une des solutions consiste à appliquer du silicium contraint aux dispositifs conventionnels de telle sorte que la structure du transistorMOSFET sur substrat massif dite conventionnelle ne change pas totalement, par contre ses performances s’améliorent. Afin d’accroître la mobilité et la vitesse de ces dispositifs électroniques, les chercheurs font face à des problèmes liés principalement à la diminution de la taille des dispositifs , ces problèmes sont connus sous le nom d’effets canaux courts. Le but de ce travail est demener une recherche permettant l’étude et la conception assistée par ordinateur d’une architecture améliorée de transistors MOSFET appelée un transistor biaxial contraint par le biais du logiciel de simulation de process et dispositif SILVACO –TCAD. Les résultats que nous avons obtenus, nous ont permis alors de déterminer les performances de ce dispositif et de les comparer à celles du transistor conventionnel, afin de montrer l’importance de l’introduction d’une contrainte en tension biaxiale dans l’accroissement de la mobilité des porteurs et de la vitesse des dispositifs, permettant ainsi obtenir de meilleures performances tout en continuant la mise à l’échelle.