Etude paramétrique de la capacité d’une jonction PN
| dc.contributor.author | Benyahkem, Yassine | en_US |
| dc.contributor.author | Benhadji Serradj, Sidi Mohammed Amdjed | en_US |
| dc.date.accessioned | 2022-10-03T11:39:49Z | en_US |
| dc.date.available | 2022-10-03T11:39:49Z | en_US |
| dc.date.issued | 2022-06-21 | en_US |
| dc.description.abstract | La jonction PN constitue l’élément de base de toute l’électronique, et constitue le module élémentaire dont dépend le fonctionnement d’un grand nombre de dispositifs. L’étude des composants à semiconducteurs reste toujours un thème d’actualité et d’intérêt considérable. Un paramètre fondamental dans la conception des dispositifs à semi-conducteur est la capacité de jonction. Notre travail consiste à l’étude paramétrique de la capacité C de la zone de charge d’espace (Z.C.E) de différents types de jonctions PN en régime continu. Comme une application particulière, nous avons étudié l’admittance d’une jonction P+N polarisée en direct sous le régime des faibles signaux. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/19123 | en_US |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.subject | Semi-conducteur, Jonction PN, Jonction abrupte, Jonction graduelle, Capacité de jonction. | en_US |
| dc.title | Etude paramétrique de la capacité d’une jonction PN | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |