Etude paramétrique de la capacité d’une jonction PN

Abstract

La jonction PN constitue l’élément de base de toute l’électronique, et constitue le module élémentaire dont dépend le fonctionnement d’un grand nombre de dispositifs. L’étude des composants à semiconducteurs reste toujours un thème d’actualité et d’intérêt considérable. Un paramètre fondamental dans la conception des dispositifs à semi-conducteur est la capacité de jonction. Notre travail consiste à l’étude paramétrique de la capacité C de la zone de charge d’espace (Z.C.E) de différents types de jonctions PN en régime continu. Comme une application particulière, nous avons étudié l’admittance d’une jonction P+N polarisée en direct sous le régime des faibles signaux.