Etude du silicium poreux : aspects fondamentaux et pratiques.

dc.contributor.authorOul Dabbas, Amariaen_US
dc.date.accessioned2015-02-15T09:20:34Zen_US
dc.date.available2015-02-15T09:20:34Zen_US
dc.date.issued2015-02-15en_US
dc.description.abstractNotre travail a consiste a déposer des couches de silicium par épistaxis en phase liquide sur des couches de silicium poreux(SIP) graduelles. Pour une bonne couche cristalline l'homo et trophallaxie pendentif de certaines étapes essentielles : (i) le mouillage ,(ii) la mutilation ,(iii) la croissance de non coalescence et enfin (iv) la croissance de couche mince cristalline. Après la réalisation de ces couches ,nous profonde au transfert par décrochage de la couche de forte porosité qui se trouve en profondeur et le collage de l’ensemble sur de la céramique ou le verre (substrat de faible coute )et ainsi la réalisation de cellules solaires minces.en_US
dc.identifier.otherDOC-530-01-01en_US
dc.identifier.urihttps://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/7352en_US
dc.language.isofren_US
dc.subjectConditions de formation du silicium poreux .L’oxydation thermique rapide.en_US
dc.titleEtude du silicium poreux : aspects fondamentaux et pratiques.en_US
dc.typeThesisen_US

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