Détermination de la résistivité d’une couche semi conductrice de GaN par la technique Van der Pauw.

dc.contributor.author	Djebbari Nee Benkhedda, Sara	en_US
dc.date.accessioned	2018-10-02T08:28:43Z	en_US
dc.date.available	2018-10-02T08:28:43Z	en_US
dc.date.issued	2018-06-24	en_US
dc.description.abstract	Notre travail portait sur la réalisation de contacts ohmiques à base d’Indium sur du nitrure de gallium dopé au silicium sur saphir, le keithley 236 a été utilisé pour les mesures du courant en fonction de la tension. Une étude sur la détermination des paramètres de transport d’une couche semi-conductrice de nitrure de gallium dopé au silicium sur saphir a été réalisée. Nous avons traité les techniques de caractérisation électrique (Van der Pauw, la méthode des Quatre pointes) par les mesures expérimentales de la résistivité, la mobilité et la concentration des porteurs de cette couche semi-conductrice.	en_US
dc.identifier.citation	salles des thèses	en_US
dc.identifier.other	MS-531.6-89/01	en_US
dc.identifier.uri	https://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/13058	en_US
dc.language.iso	fr	en_US
dc.publisher	University of Tlemcen	en_US
dc.subject	Résistivité, GaN , Van der Pauw.	en_US
dc.subject	Resistivity, GaN, Van der Pauw.	en_US
dc.title	Détermination de la résistivité d’une couche semi conductrice de GaN par la technique Van der Pauw.	en_US
dc.type	Thesis	en_US

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