Détermination de la résistivité d’une couche semi conductrice de GaN par la technique Van der Pauw.

Abstract

Notre travail portait sur la réalisation de contacts ohmiques à base d’Indium sur du nitrure de gallium dopé au silicium sur saphir, le keithley 236 a été utilisé pour les mesures du courant en fonction de la tension. Une étude sur la détermination des paramètres de transport d’une couche semi-conductrice de nitrure de gallium dopé au silicium sur saphir a été réalisée. Nous avons traité les techniques de caractérisation électrique (Van der Pauw, la méthode des Quatre pointes) par les mesures expérimentales de la résistivité, la mobilité et la concentration des porteurs de cette couche semi-conductrice.