Modélisation des caractéristiques électriques d’un transistor bipolaire à hétérojonction InP/InGaAs.

Abstract

Dans ce travail, nous avons étudié un HBT (transistor bipolaire à hétérojonction) InP/InGaAs de type NPN. La simulation a été effectuée en utilisant le simulateur SILVACO-TCAD. En premier lieu, nous avons élaboré la forme géométrique de la structure d’étude pour sa simulation, afin d’approcher la configuration réelle du composant. Nous avons obtenu un gain en courant environ 800, une fréquence de transition fT=620 GHz et une fréquence maximale fMAX =300 GHz. Nous avons, ensuite, introduit les semiconducteurs binaires InAs et GaP pour diminuer la résistivité de la base afin d’améliorer les caractéristiques électriques de notre composant. Pour cela nous avons proposé une nouvelle configuration géométrique avec les nouveaux résultats correspondant. Ainsi, nous avons simulé la structure réelle de l’HBT étudiée et publiée par un de l‘université de California en 2001. Les résultats de notre simulation restent quasi-identiques à ceux obtenus dans ce laboratoire. Nous avons ensuite développé cette structure en y introduisant des couches « Tampon » en InAs et GaP, permettant ainsi d’éliminer les défauts d’interface et d’améliorer les performances électriques et fréquentielles du composant