Etude des performances d’un transistor Pseudomorphique à base de AlGaAs/InGaAs/GaAs (PHEMT)

dc.contributor.authorSebbati, Naimaen_US
dc.date.accessioned2014-09-29T10:57:48Zen_US
dc.date.available2014-09-29T10:57:48Zen_US
dc.date.issued2014-07-02en_US
dc.description.abstractL’objectif de ce travail est de concevoir et étudier les performances de transistor PHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs. Cette étude est menée à l’aide de simulateur SILVACO, et nous avons obtient des bonnes résultats, il serait souhaitable d’approfondir encore plus cette étude.en_US
dc.identifier.urihttps://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/6097en_US
dc.language.isofren_US
dc.subjectTransistor HEMT, Transistor PHEMT, transistor MESFETen_US
dc.subjectGaAs, InGaAs, AlGaAs, Alliages des matériaux semi-conducteurs, SILVACO.en_US
dc.titleEtude des performances d’un transistor Pseudomorphique à base de AlGaAs/InGaAs/GaAs (PHEMT)en_US
dc.typeThesisen_US

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