Etude de la conception d’une diode laser à base de matériau InGaN/GaN

Abstract

Les matériaux de nitrure du groupe III fournissent une plate-forme pour des avancées spectaculaires dans l'efficacité des sources d'éclairage de diode laser à semi-conducteurs. En particulier les lasers à puits quantiques (QD). Le système utilise des matériaux InGaN/GaN qui offrent de nombreux avantages pour améliorer les performances photoniques dans la gamme de longueur d'onde bleu. Nos travaux incluent la simulation et l'optimisation de diodes laser bleu à l'aide de matériaux InGaN/GaN, un procédé d'hétérostructure récent qui promet des performances photoniques améliorées dans la gamme des longueurs d'onde bleu. La modélisation est basée sur l'étude des influences des paramètres : thermique, électriques, géométrique et optiques utilisés pour concevoir des structures diodes laser bleu performantes telles que : densité spectrale de puissance, puissance d'émission, gain, émission spontanée, courant