Transistor DHFET à base d’InGaN : Simulation et optimisation de ses performances DC et RF par le logiciel Silvaco

Abstract

A l'heure actuelle, les transistors à effet de champ à double-hétérojonction (DH-FET) à base de nitrure de gallium-indium (InGaN) apparaissent comme les meilleurs candidats pour les applications hyperfréquences, de puissance. Les avantages intrinsèques de ces transistors résident dans une tension de claquage et une vitesse de saturation élevée, une grande linéarité. Notre travail consiste à simuler un transistor DH-FET à base d’InGaN, en tenant compte de toutes les grandeurs qui puissent influencer ses performances. Ainsi, nous pourrions optimiser notre dispositif.