Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://dspace1.univ-tlemcen.dz/handle/112/5084
Titre: Etude ab initio des propriétés structurales et électroniques des semi-conducteurs III-V à base de Phosphore (AlP,lnP)
Auteur(s): Ghefir, Sofiane Abdelkader
Mots-clés: Ab intio, (FP-LAPW+lo), GGA, GGA-PBE, GGA-EV, code WIEN2K
semi-conducteur III- V lnP et AlP
Date de publication: 2013
Résumé: Dans ce projet, nous nous sommes intéressées par à l’étude théorique du lnP et AlP en utilisant des méthodes ab inition pour étudier les propriétés structurales et électroniques en utilisant la méthode des ondes planes augmentées linéarisées à potontiel total plus orbitales locales (FP-LAPW+lo), l’énergie de d’échange-corrélation est décrite dans l’approximation du gradient généralisé (GGA) en utilisant le code WIEN2K. En premier abord, nous avons repris les propriétés physiques des semi-conducteurs III-V lnP et AlP Aussi, nous avons étudies les propriétés structurales et électroniques avec des Approximation GGA-PBE et GGA-EV en les comparant avec les résultats théoriques.
URI/URL: http://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/5084
Collection(s) :Magister en Electronique

Fichier(s) constituant ce document :
Fichier Description TailleFormat 
Ghefir sofiane 2013.pdf13,65 MBAdobe PDFVoir/Ouvrir


Tous les documents dans DSpace sont protégés par copyright, avec tous droits réservés.