Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://dspace1.univ-tlemcen.dz/handle/112/18586
Titre: Étude ab-initio des propriétés interfaciales entre silicium et oxyde cuivreux pour les applications photovoltaïques.
Auteur(s): BENAISSA, Mohammed
Mots-clés: DFT, Solar cells, Oxide interface, Electronic structure, Optical properties
DFT, Cellules solaires, Interface oxyde, Structure électronique, Propriétés optiques.
Date de publication: 19-jui-2021
Editeur: 13-06-2022
Référence bibliographique: salle des thèses
Collection/Numéro: BFST2767;
Résumé: Copper oxide (Cu2O) based solar cells are promising for high conversion efficiency and low production cost. This work aims to study the electronic and optical properties of Cu2O used as absorbent material in photovoltaic cells using ab-initio methods. The first part of the thesis consists to study the influence of halogen doping on the behavior of Cu2O with a view to its influence on n-type conductivity and optical properties. The second part treats the properties of the copper oxide/silicon interface for Cu2O-based heterojunction solar cells using Si as an n-type layer.
URI/URL: http://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/18586
Collection(s) :Doctorat LMD en en Physique

Fichier(s) constituant ce document :
Fichier Description TailleFormat 
Etude-ab-initio-des-proprietes-interfaciales-entre-silicium-et-oxyde-cuivreux-pour-les-applications..pdfCD3,36 MBAdobe PDFVoir/Ouvrir


Tous les documents dans DSpace sont protégés par copyright, avec tous droits réservés.