Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://dspace1.univ-tlemcen.dz/handle/112/18586
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dc.contributor.authorBENAISSA, Mohammed-
dc.date.accessioned2022-06-13T08:54:51Z-
dc.date.available2022-06-13T08:54:51Z-
dc.date.issued2021-07-19-
dc.identifier.citationsalle des thèsesen_US
dc.identifier.otherDOC-530-122-01-
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/18586-
dc.description.abstractCopper oxide (Cu2O) based solar cells are promising for high conversion efficiency and low production cost. This work aims to study the electronic and optical properties of Cu2O used as absorbent material in photovoltaic cells using ab-initio methods. The first part of the thesis consists to study the influence of halogen doping on the behavior of Cu2O with a view to its influence on n-type conductivity and optical properties. The second part treats the properties of the copper oxide/silicon interface for Cu2O-based heterojunction solar cells using Si as an n-type layer.en_US
dc.description.sponsorshipLes cellules solaires à base d'oxyde de cuivre (Cu2O) sont prometteuses pour un rendement de conversion élevé et un faible coût de production. Ce travail vise à étudier les propriétés électroniques et optiques du Cu2O utilisé comme matériau absorbant dans les cellules photovoltaïques par les méthodes ab-initio. La première partie de la thèse consiste à étudier l'influence du dopage d’halogène sur le comportement du Cu2O en vue de son influence sur la conductivité de type n et les propriétés optiques. La deuxième partie traite les propriétés de l'interface oxyde de cuivre/silicium pour les cellules solaires à hétérojonction à base de Cu2O utilisant le Si comme couche de type n.en_US
dc.language.isofren_US
dc.publisher13-06-2022en_US
dc.relation.ispartofseriesBFST2767;-
dc.subjectDFT, Solar cells, Oxide interface, Electronic structure, Optical propertiesen_US
dc.subjectDFT, Cellules solaires, Interface oxyde, Structure électronique, Propriétés optiques.en_US
dc.titleÉtude ab-initio des propriétés interfaciales entre silicium et oxyde cuivreux pour les applications photovoltaïques.en_US
dc.typeThesisen_US
Collection(s) :Doctorat LMD en en Physique

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Etude-ab-initio-des-proprietes-interfaciales-entre-silicium-et-oxyde-cuivreux-pour-les-applications..pdfCD3,36 MBAdobe PDFVoir/Ouvrir


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