Modélisation et simulation des propriétés structurales et électroniques des semi-conducteurs. Étude comparative entre les composés à base de nitrures

Abstract

La méthode de la densité locale (LDA), du potentiel modifier de Becke–Johnson (mBJ) et (en conjonction avec le paquet wien2k) est utilisée pour étudier le paramètre de la constante de réseau (a) et la structure de bande pour les semi-conducteurs III-nitrure BN, AlN, GaN et de l’InN en structure zinc-blende LE terme d’échange-corrélation Xc de la LDA , le paramétrés de maille (a), l’énergie de la bande interdite (Eg ) ont été calculées en utilisant les approximations LDA et LDA-MBJ . Les résultats du Gap d’enregie Eg pour mBJ-LDA sont fortement en accord avec les valeurs expérimentales et beaucoup plus précis que les valeurs de la LDA. Les valeurs de dans les deux méthodes méthodes LDA et mbj-LDA sont bien précises par rapport aux autres travaux théoriques. Mots-clés : III-N,LDA , LDA-GGA ,Wien2k, Gap d’énergie