Caractérisation de deux couches d'AlGaN l'une dopée n et l'autre dopée p par la diffraction des rayons X et la microscopie électronique à balayage

Abstract

L'AlGaN présente plusieurs propriétés qui le rendent précieux dans diverses applications, notamment une large bande interdite, une tolérance thermique élevée et une efficacité quantique élevée. Ces caractéristiques rendent l'AlGaN adapté à des domaines tels que les diodes électroluminescentes (LED), les dispositifs laser et les capteurs, entre autres. Dans cette étude, des caractérisations structurelles et morphologiques des couches d'AlGaN dopées n et p sur des substrats de saphir ont été réalisées. L'analyse structurelle a été effectuée par diffraction des rayons X (XRD), tandis que l'analyse morphologique a été réalisée par microscopie électronique à balayage (MEB). Les résultats de la diffraction des rayons X ont indiqué que les couches possèdent une structure polycristalline et se cristallisent dans la phase hexagonale (Wurtzite). Les analyses morphologiques ont révélé que les couches ont des grains lisses et homogènes, avec un arrangement de surface bien ordonné et uniforme.