Etude ab initio du dopage du AlGaN par du Germanium

Abstract

Le développement de LED à base de nitrure représente un enjeu important sur le plan industriel et sociétal. Grace à leur large bande interdite, les semi-conducteurs III-N tels que le GaN et ses alliages, en particulier AlGaN son de très bons candidats pour la réalisation de dispositifs optoélectroniques. Cependant, ces systèmes montrent un bon nombre de limitations, principalement dues à l’évolution des propriétés de matériau AlGaN lorsque la teneur d’Aluminium augmente. Les effets de contrainte affectent la qualité du matériau, et donc l’émission spontanée des LEDs en général. Le but de ce travail est l’étude les propriétés structurales et électroniques du composé AlGaN dopé par le Germanium, théoriquement par la méthode ab-initio implémenté dans le code VASP basée sur la théorie de la fonctionnelle de la densité. On a utilisé l’approximation GGA-PBE afin de calculer les paramètres structuraux.