Etude ab initio du mécanisme microscopique des transitions reconstructives dans les binaires de type B3

dc.contributor.authorBeddi, Abdelkaderen_US
dc.date.accessioned2018-10-23T12:29:53Zen_US
dc.date.available2018-10-23T12:29:53Zen_US
dc.date.issued2018-06-28en_US
dc.description.abstractA l’aide d’un calcul ab initio, nous avons montré dans ce travail qu’on peut simuler le mécanisme de la transition de phase reconstructive B3B1 engendrée par l’application d’une pressure hydrostatique dans deux binaires. L’outil utilisé est un état intermédiaire de forme orthorhombique, Imm2. Cet état est lié aux phases parents par la relation de symétrie structurelle groupe –sous-groupe. Le choix de se sous-groupe n’est pas nés d’un hasard mais par le biais d’un calcul de contraintes locales le long du chemin de la transformation. La phase intermédiaire Imm2 est facilement simulée par la seule coordonnée du cation du binaire à la position z. le chemin de transition engendre une diminution dans le volume due au changement des deux rapports structurales c/a et b/a. Le paramètre de tolérance de la déformation étant minime ; la transition de phase les deux binaires à besoins d’une énergie d’activation minimale. La courbe du chemin de transition donna une forme lisse et bien symétrique. Nos barrières d’activations calculées via l’approche martensitique, montrent bien que le composé ionique CuBr à besoin d’une très petite énergie pour passer de l’état semi-conducteur à l’état métallique (B1). Tandis que, le composé GaAs quant à lui, requière dix fois plus d’énergie pour cette transition.en_US
dc.identifier.citationsalles des thèsesen_US
dc.identifier.otherMS-530en_US
dc.identifier.urihttps://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/13312en_US
dc.language.isofren_US
dc.publisherUniversity of Tlemcenen_US
dc.subjectab initio du mécanisme microscopique des transitions reconstructives dans les binaires de type B3en_US
dc.titleEtude ab initio du mécanisme microscopique des transitions reconstructives dans les binaires de type B3en_US
dc.typeThesisen_US

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