ETUDE DES PROPRIETES OPTOELECTRONIQUES DES SEMICONDUCTEURS III-V A BASE DE GALIUM

Abstract

Les semi conducteurs III-V et leurs alliages correspondants, occupent actuellement une position privilégiée dans plusieurs domaines d’applications tels que l’optoélectronique. L’objectif principal de ce mémoire est d’étudier les propriétés optoélectroniques (électroniques et optiques) des composés binaires du semi conducteurs III-V à base de gallium : GaAs, GaSb et GaP en utilisant la méthode tight binding empirique développée dans la base sp3s* de Vogl et la loi d’échelle d’Harrison qui décrit la variation de l’interaction des paramètres du tight binding avec la distance interatomique a, à la pression nulle et à une haute pression de transition. Ce travail a pour but d’atteindre cette méthode pour le calcul des transitions de phases de la structure zinc blende à la phase β-Sn. Les propriétés optiques ont été déterminées par les quatre modèles : modèle de Moss et al, le modèle de Ravindra et al, le modèle d’Hervé et Vandamme et le modèle de Ghosh et al. En utilisant ces quatre modèles nous avons déterminé l’indice de réfraction dans la phase zinc blende ZB et dans la phase β-Sn, ainsi que la constante diélectrique ε et la susceptibilité diélectrique χ. Ce travail nous a amené à conclure que les propriétés électroniques et optiques seront modifiées sous l’effet de la haute pression.