Etude et modélisation électrique d’une diode Schottky

Abstract

La jonction d’un matériau semi-conducteur à large gap comme le SiC avec un métal donne naissance à un composant très important dans les applications à haute puissance, la diode Schottky. Un composant connu pour leurs caractéristiques avantageuses comme la tenue en tension élevée, résistivité faible, donc un composant idéal par exemple pour les convertisseurs de puissance. La diode Schottky rencontre une certaine réticence la fiabilité de cette technologie n’arrive pas à convaincre. Malgré les nombreuses recherches réalisées sur ce composant utilisé souvent dans les circuits électroniques de puissance, cette étude porte sur la modélisation d’une diode Schottky en SiC-6H sur une large gamme de températures. La modélisation a permis une meilleure compréhension du fonctionnent de la diode Schottky théoriquement et par modélisation.