Etude et conception d’une diode laser (DL) à base d’InGaN/GaN

Abstract

Les sources optiques telles que les diodes laser (LD) à base des matériaux III-nitrures émettant dans le bleu ont vu une avance importante ces dernières années. En effet, les diodes laser à base de GaN deviennent des sources populaires non seulement pour l’éclairage, mais aussi pour les applications allant des communications au quantique. Les nombreux avantages des diodes laser en ont fait un composant essentiel pour de nombreux systèmes photoniques, tels que les télécommunications optiques, la spectroscopie ou la métrologie. Ce projet de fin d’études porte sur la conception électro-thermo-optique de la diode laser à base des matériaux III-N (InGaN/AlGaN). Il s’agit de la modélisation et de la simulation des caractéristiques électriques, thermiques et optiques cette diode laser. Dans ce contexte, un modèle électro-thermo-optique sera développé pour la diode laser pour prédire les performances d’une telle diode. Ce modèle sera exploité pour examiner la densité du courant dans de la région active, les caractéristiques courant-tension et puissance-courant, la densité spectrale de puissance, la température globale dans le composant, le spectre d’émission de la diode sous polarisation directe, le gain optique…etc