Simulation des comportements DC et RF des transistors Al0.2Ga0.8As PHEMT et TiO2 MOS-HEMT pseudomorphiques

Abstract

L'évolution de la nouvelle technologie pour les applications de télécommunications, de radionavigations et radars sont aujourd’hui d’un intérêt stratégique et commercial majeur. Ces applications permettent de disposer des transistors rapides ayant des caractéristiques intéressantes. D’où la conception des circuits pour les systèmes complexe nécessitent une grande densité d’intégration, ceci impose de tenir en compte de tous les effets qui affectent le fonctionnement des tels circuits lors de la conception. Le travail présenté dans ce mémoire porte sur l’étude et la simulation des comportements statiques et hyperfréquences des transistors PHEMT et MOS-PHEMT. Dans cette optique un modèle physico-électrique basé sur la méthode des éléments finis a été proposé pour ces transistors. Il permet l’analyse détaillé des performances statiques et dynamiques de ces transistors en termes de caractéristiques de sorties, de transfert et de la fréquence de coupure. Ce modèle a été exploité pour examiner le type et l’épaisseur de l’oxyde de grille dans la structure MOS-PHEMT.