Simulation d’une Cellule Thermo-photovoltaïque (TPV) à base de Semi-conducteur GaAs et BAs

dc.contributor.authorBouzzaoui, Imaneen_US
dc.date.accessioned2024-12-22T09:34:17Zen_US
dc.date.available2024-12-22T09:34:17Zen_US
dc.date.issued2024-06-08en_US
dc.description.abstractLes cellules thermophotovoltaïques (TPV) sont des dispositifs capables de convertir la chaleur en électricité en utilisant l'effet photovoltaïque. Elles fonctionnent en absorbant le rayonnement thermique émis par une source de chaleur, puis en le transformant en électricité grâce à des matériaux semi-conducteurs spécifiques. Dans le présent travail, nous étudions deux matériaux semi-conducteurs type III-V. dans le tableau périodique ; l’Arsenic du Gallium et l’Arsenic du Bore (BAs) un matériau émergent, dans le but d'évaluer les avantages et les limitations de chaque matériau pour des applications photovoltaïques. Les simulations sont réalisées en utilisant le logiciel Scaps 1D en examinant une gamme de paramètres de performance dans des conditions similaires. L'influence de la température sur ces matériaux, ouvrent ainsi la voie à des applications Thermpohotovoltaique (TPV) plus efficaces et durables.en_US
dc.identifier.urihttps://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/23949en_US
dc.language.isofren_US
dc.publisherUniversity of Tlemcenen_US
dc.relation.ispartofseries14 Master phy;en_US
dc.subjectcellules thermophotovoltaïques, semi-conducteur, GaAs, BAs, Scaps 1D.en_US
dc.titleSimulation d’une Cellule Thermo-photovoltaïque (TPV) à base de Semi-conducteur GaAs et BAsen_US
dc.typeThesisen_US

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