Calcul de la densité d’hydrogène confinée dans des couches de nitrure de silicium hydrogéné SiN : H

Abstract

La production mondiale d’énergie photovoltaïque augmente de façon importante depuis plusieurs années mais son développement reste limité par son coût qui reste trop élevé par rapport aux énergies fossiles et nucléaires. Afin de réduire le coût de fabrication, une solution consiste à utiliser des substrats minces, la part du matériau dans la réalisation du module étant d’environ 50%. Cependant, de nouvelles technologies adaptées aux substrats minces (inférieurs à 50 μm) sont à mettre en oeuvre. Le nitrure de silicium hydrogéné SiNX:H est un matériau remarquable pour les applications photovoltaïques basées sur le silicium. Ses multiples propriétés peuvent être exploitées pour réduire à la fois les pertes optiques et celles dues aux recombinaisons des porteurs minoritaires. Il a ainsi un rôle très important dans l’amélioration du rendement de conversion des cellules solaires. Le but de ce projet est de calculer la concentration d’hydrogène confine dans les couches de nitrure de silicium hydrogéné. Pour cela on a commencé par une exposer sur l’effet photovoltaïque et les couches minces de silicium, puis on a prend une vue sur la technique de dépôt PECVD. Dans la dernière partie, on trouve les spectres d’absorption infrarouge des couches SiN déposées avec un spectrophotomètre infrarouge à transformée de Fourrier (FTIR) de type « Bruker-Equinox55 » ayant une résolution de 2cm-1 sur un intervalle de fréquence (400-4000cm-1).