Etude de l’effet d’insertion des éléments magnétique Fe, Cr, Co et Mn sur les alliages de type Cu3Al par les méthodes de premier principe

dc.contributor.authorDernouh, Mèryemen_US
dc.date.accessioned2024-11-12T10:41:54Zen_US
dc.date.available2024-11-12T10:41:54Zen_US
dc.date.issued2019-06-29en_US
dc.description.abstractLes composés alliages à mémoire de forme se divisent en deux familles. La famille des Ni-Ti cristallisant principalement dans les structures hautes températures ouvertes cubiques de réseau B2 et des structures basses températures tétragonale L10. Et la famille des Cu-Al dont nous avons axé notre travail, cristallisant principalement dans les structures hautes températures plus compactes cubiques de réseau L12 ou DO3 et des structures basses températures 2H orthorhombiques. Jusqu’à maintenant les alliages à mémoire de forme ont été utilisés dans le secteur médical, automobile et industrie marine. La communauté des chercheurs en physique des matériaux et grâce à des travaux expérimentaux a montré que ces AMF peuvent être utilisés dans le secteur électronique en remplaçant les composants semi-conducteurs à enregistrement magnétique qui se déformaient avec la température (phénomène de claquage). Comme la famille des Cu-Al ne présente aucun aspect magnétique, on s’est proposé dans ce travail d’injecter des éléments magnétiques et à l’aide des calculs du premier principe basé sur la théorie de la DFT, d’évaluer les propriétés structurales, électroniques, magnétiques et mécaniques des composés Cu3AlM-insertion et Cu3-xMxAl-substitution où (M : Mn, Fe, Cr et Co).en_US
dc.identifier.urihttps://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/23521en_US
dc.language.isofren_US
dc.publisherUniversity of Tlemcenen_US
dc.relation.ispartofseries470 Master phy;en_US
dc.subjectAlliages à mémoire de forme AMF, phases austénite, phase martensite, étude ab-initio, structures électroniques et magnétiques, propriétés élastiques.en_US
dc.titleEtude de l’effet d’insertion des éléments magnétique Fe, Cr, Co et Mn sur les alliages de type Cu3Al par les méthodes de premier principeen_US
dc.typeThesisen_US

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