Caraterisation-des-semi-conducteurs-par-les-techniques-capacitives
| dc.contributor.author | Kerai, Salim | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-05-06T10:42:58Z | en_US |
| dc.date.available | 2014-05-06T10:42:58Z | en_US |
| dc.date.issued | 1999-10 | en_US |
| dc.description.abstract | Dans cette perspective notre travaille vise deux objectives: le premier est d'étudier les techniques capacitives (cv et dlts)tot en définissant leur conditions | en_US |
| dc.identifier.uri | https://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/4926 | en_US |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.subject | Caractéristiques I-V des diodes a jonction PN et schottky | en_US |
| dc.title | Caraterisation-des-semi-conducteurs-par-les-techniques-capacitives | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |