Etude ab intio des propriétés structurales, électroniques et optiques du matériau Mg2Ge

dc.contributor.authorKalai, Imaneen_US
dc.date.accessioned2025-04-06T10:53:23Zen_US
dc.date.available2025-04-06T10:53:23Zen_US
dc.date.issued2022-07-04en_US
dc.description.abstractDans ce travail, nous étudierons les propriétés structurelles, électroniques et optiques du matériau cubique Mg2Ge, avec la méthode des premiers principes (ab-initio) basée sur la Théorie de la Fonctionnelle de la Densité (DFT) à travers la méthode du pseudo-potentiel et des ondes planes augmentées (PP-APW) implémentée dans le code de calcul numérique VASP. En exploitant l'approximation généralisée du gradient (GGA) pour le potentiel d'échange et la corrélation pour déterminer les propriétés structurelles (paramètres du réseau, module de compression et sa dérivée première), les propriétés électroniques (structures de bande, densités d'états) et les propriétés optiques (indice de réfraction, coefficient d'absorption et de réflectivité et coefficient d'extinction).en_US
dc.identifier.urihttps://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/24954en_US
dc.language.isofren_US
dc.publisherUniversity of Tlemcenen_US
dc.relation.ispartofseries161 Master Phys;en_US
dc.subjectMg2Ge, DFT, GGA-PBE, VASP, propriétés électroniques, propriétés optiques.en_US
dc.titleEtude ab intio des propriétés structurales, électroniques et optiques du matériau Mg2Geen_US
dc.typeThesisen_US

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