Effet du Rapport Non-Linéaire du Coefficient Diffusion-Mobilité Dans la Modélisation du Transistor MESFET GaAs

Simple item page
dc.contributor.authorKameche, Men_US
dc.contributor.authorFeham, Men_US
dc.contributor.authorDjelti, Hen_US
dc.contributor.authorMeliani, Men_US
dc.contributor.authorBenahmed, Nen_US
dc.contributor.authorDali, S.en_US
dc.date.accessioned2012-05-24T09:39:51Zen_US
dc.date.available2012-05-24T09:39:51Zen_US
dc.date.issued2003-09-29en_US
dc.descriptionConférence Internationale sur les Systèmes de Télécommunication , d’Electronique Médicale et d’Automatique, CISTEMA’2003en_US
dc.description.abstractLa plupart des simulateurs conventionnels de semi-conducteur, supposent dans la modélisation des composants électroniques que le rapport du coefficient de diffusion et de la mobilité est constant (relation linéaire). Dans ce travail, nous exposons un modèle simple de simulation des composants à effet de champ prenant en compte la dépendance du rapport diffusion-mobilité [1] et des phénomènes dynamiques [2] avec les forts champs électriques (relation nonlinéaire). Ce nouveau procédé basé sur la méthode des éléments finis (MEF) est applicable à la conception des transistors MESFET, TEGFET, SISFET. Les résultats obtenus prouvent que le courant dans le cas non linéaire est plus grand.en_US
dc.identifier.urihttps://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/855en_US
dc.language.isofren_US
dc.titleEffet du Rapport Non-Linéaire du Coefficient Diffusion-Mobilité Dans la Modélisation du Transistor MESFET GaAsen_US
dc.typeArticleen_US

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
Effet-du-Rapport-Non-Lineaire-du-Coefficient-Diffusion-Mobilite-Dans-la-Modelisation-du-Transistor-MESFET-GaAs.pdf
Size:
182.83 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
license.txt
Size:
1.71 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description:
Download

Collections

Articles internationaux