Optimisation des performances DC et AC du transistor DG-HEMT sur substrat 4H-SiC

Abstract

Les applications dans les domaines militaire, spatial, automobile ou dans les télécommunications des composants HEMTs entrainent des exigences non seulement en terme de performances dynamiques avec de fortes fréquences de coupure Ft et Fmax, mais également statiques avec entre autres une transconductance élevée et une tension de seuil contrôlée. Dans ces conditions, ce projet de fin d’études porte sur l’étude, la conception et la simulation des caractéristiques statiques et dynamiques du transistor AlGaN/GaN double-grille double-canal HEMT (DG-HEMT). Donc, un paramétrage DC et AC est développé pour ce transistor en utilisant l’outil de simulation Atlas de Silvaco. En effet, il s’agit d’une optimisation des performances DC et AC du transistor DG-HEMT en terme de courant drain-source, tension de seuil, la transconductance, la fréquence de coupure et la fréquence maximale d’oscillation