Modélisation numérique des effetss thermiques dans le transistor hemt en technologie gan

Abstract

Le travail présenté dans ce mémoire porte sur l’étude de l’effet thermique sur le comportement DC du transistor HEMT en technologie GaN. Dans ce cadre, un modèle physico-thermique issu d’un couplage d’un modèle de dérive-diffusion et d’un modèle thermique est basé sur la méthode des éléments finis a été développé pour ce transistor. Ce modèle prend en compte la température de réseau en tout point du composant. Il permet l’étude et l’analyse détaillée de l’effet de la température sur l’ensemble des paramètres de ce composant. Ce modèle a été exploité pour examiné l’influence de certains paramètres technologiques qui impactent les performances du transistor tels que la longueur de la grille, l’épaisseur de la barrière et du substrat.