Etude des différentes techniques de caractérisation.

Abstract

L’oxyde de zinc (ZnO) est un matériau binaire, semi-conducteur à large gap direct (3,3) eV. Vu ses bonnes propriétés optoélectroniques, les couches minces trouvent plusieurs applications telles que : cellules solaires, capteurs piézoélectrique, guides d’ondes…ect. Les films minces ZnO peuvent être élaborés par plusieurs techniques, il faut citer : spray pyrolyse, évaporation thermique, pulvérisation cathodique, sol-gel, ablation laser et autres. Nos couches ont été déposés par la pulvérisation cathodique sur des substrats en silicium Si. Nos intérêts consistent à caractériser ces couches par la technique structurale (diffraction des rayons X DRX). Pour cela, nous avons utilisé cinq échantillions cristalline des films minces de ZnO avec une variation de la température à 31°C jusqu’à 760°C. Ces couches sont analysées par la diffraction des rayons X (DRX). L’analyse a montré que les films déposés présentent une orientation préférentielle suivant la direction (002). Les résultats de la caractérisation structurale des films de ZnO montrent que la gamme de température 200- 400 °C et la gamme optimale pour obtenir de films ZnO avec de bonnes propriétés structurales.