Analyse du transport électronique dans les dispositifs Micro-électronique par les méthodes particulaires Monte Carlo: Application aux matériaux InSb et SiC

Abstract

La révolution technologique dans le domaine de l’électronique est basée sur l’étude profonde des semi-conducteurs. Une approche analytique, nécessite généralement la connaissance de la fonction de distribution de l’énergie des électrons obtenus en résolvant l’équation aux dérivées partielles de Boltzmann. Le traitement analytique n’est possible que dans des cas particuliers et les hypothèses faites pour rendre le problème soluble restreignent parfois considérablement le domaine de validité des solutions trouvées. La résolution numérique est une étude complète nécessitant moins d’hypothèses. Il en résulte que les résultats acquis dépendent des possibilités des calculateurs utilisés et des restrictions physiques. La méthode de Monte Carlo est une méthode de simulation permettant de traiter ce problème avec une grande souplesse. L’utilisation de cette méthode s’est fait une place de choix depuis une vingtaine d’année dans l’étude des phénomènes de transport dans les semi-conducteurs.