Modélisation du mécanisme d’ionisation des semi-conducteurs et diélectriques par impulsion laser ultracourte

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dc.contributor.authorSari, Ahlemen_US
dc.date.accessioned2024-06-09T10:22:30Zen_US
dc.date.available2024-06-09T10:22:30Zen_US
dc.date.issued2023-06-08en_US
dc.description.sponsorshipLes impulsions lasers ultracourtes sont particulièrement pertinentes pour le micro/nano- usinage des matériaux et suscitent l’intérêt des chercheurs où le but ultime pour les expérimentateurs reste comment augmenter la précision de fabrication et l'efficacité du produit. La maîtrise des procédés est donc un passage obligé et une meilleure compréhension des mécanismes d'interaction, à savoir l'absorption, l'ionisation non-linéaire, le transfert d'énergie et la diffusion thermique peut grandement aider cette démarche de contrôle des procédés. L'objectif de ce mémoire de master est de présenter une étude des processus fondamentaux induits lors de l'interaction laser fs avec un matériau transparent (le diamant). On s’intéresse principalement aux processus responsables de l'effet thermique induit lors du passage d'un régime de basse fluence à un régime de haute fluence et aux mécanismes associés. Ce travail contribue au développement du concept de technique de traitement au laser pour mieux contrôler et améliorer les applications au secteur industriel. Abstract Ultrashort laser pulses are particularly relevant for micro/nano machining of materials and are of interest to researchers where the ultimate goal for experimenters remains how to increase manufacturing accuracy and product efficiency. Process control is therefore mandatory and a better understanding of the interaction mechanisms, namely absorption, non-linear ionization, energy transfer and thermal diffusion can greatly help this process control approach. . The objective of this master's thesis is to present a study of the fundamental processes induced during the fs laser interaction with a transparent material (diamond). We are mainly interested in the processes responsible for the thermal effect induced during the transition from a low fluence regime to a high fluence regime and the associated mechanisms. This work contributes to the development of the concept of laser processing technology to better control and improve applications in the industrial sector.en_US
dc.identifier.urihttps://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/22736en_US
dc.language.isofren_US
dc.publisherUniversity of Tlemcenen_US
dc.relation.ispartofseries009 Master physique;en_US
dc.subjectLes impulsions lasers,le micro/nano- usinage,mécanismes d'interaction,l'ionisation non-linéaire,les processus fondamentaux,l'interaction laser,l matériau transparent (le diamant),le concept de techniqueen_US
dc.titleModélisation du mécanisme d’ionisation des semi-conducteurs et diélectriques par impulsion laser ultracourteen_US

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