Influence De la Température sur Le Comportement Physique Et Electronique des Transistors MOS

Abstract

Notre travail consiste à étudier l'influence de la température sur le comportement physique et électronique des transistors MOSFET à canaux courts en utilisant un modèle de dernière génération l'EKV (Ens Krummenacher and Vittoz) qui est un modèle évolutif et compact de simulation se basant sur les propriétés physiques fondamentales de la structure MOS. Dans un premier temps, nous avons tout d’abord fait une étude théorique sur les transistors MOS où on a rappelé les notions de base et expliquer leurs fonctionnements. La deuxième partie de notre travail est consacrée à une étude théorique du modèle EKV, nous avons alors présenté les principaux paramètres et équations qui caractérisent ce model. Nous nous sommes intéressés aussi à l'étude des effets thermiques et leur influence sur le fonctionnement du transistor MOS. Ce qui nous a permis de définir l'impact de la température sur chacun des paramètres sensible à la variation de la température du model considéré. Nous avons pour finir présenté les résultats de simulation permettant de mettre en évidence les effets de la variation de la température sur le model et plus exactement sur les courant du transistor.