Etude ab initio des propriétés structurales et électroniques des semi-conducteurs III-V à base de Phosphore (AlP,lnP)

Abstract

Dans ce projet, nous nous sommes intéressées par à l’étude théorique du lnP et AlP en utilisant des méthodes ab inition pour étudier les propriétés structurales et électroniques en utilisant la méthode des ondes planes augmentées linéarisées à potontiel total plus orbitales locales (FP-LAPW+lo), l’énergie de d’échange-corrélation est décrite dans l’approximation du gradient généralisé (GGA) en utilisant le code WIEN2K. En premier abord, nous avons repris les propriétés physiques des semi-conducteurs III-V lnP et AlP Aussi, nous avons étudies les propriétés structurales et électroniques avec des Approximation GGA-PBE et GGA-EV en les comparant avec les résultats théoriques.