Etude par Simulation et Modélisation Electriques des Cellules Photovoltaïques en Couche Mince à base de Cu(In,Ga)Se2(CIGS).
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Utilisant des informations physiques et électriques recueillies pour les cellules
photovoltaïques et leur description d'opération avec l'approximation de la caractéristique I-V
peut être établie et représentée par les modèles mathématiques. Dans ce travail, des cellules
solaires à base de CIGS sont modélisées et simulées avec les modèles de un ou deux diodes.
Dans ces modèles, nous avons obtenu la dépendance de quelques paramètres avec la
température qui constituent un ensemble de données généralement non fournies par les
fabricants. Des simulations sont effectuées suite aux méthodes de Newton-Raphson pour les
équations I-V implicites. Et dans la deuxième partie nous avons vue l’effet de l’influence de
la réduction de l’épaisseur de la couche absorbante CIGSe sur les paramètres photovoltaïques
et le rendement quantique de la cellule solaire.