Caractérisations Electriques des Hétérostructures à base d’InP nitruré

Abstract

Ce mémoire a trait à la nitruration du phosphure d’indium. Le phosphure d’indium est un semiconducteur III-V présentant un fort potentiel dans les domaines de la micro, de la nano et de l’optoélectronique. La nitruration est un traitement de surface intervenant dans la croissance d’hétérostructures du type InN/InP. La nitruration est réalisée dans un bâti ultravide. L’échantillon d’InP est exposé à un flux d’azote actif sous une incidence rasante produit par une source à décharge haute tension. Les espèces azotées consomment les cristallites d’indium métallique précédemment créées par le bombardement ionique pour former de l’InN. L’étude du processus de nitruration a été menée en employant la spectroscopie des électrons Auger. Elle contrôle l’évolution de la composition de la surface d’InP et de la couche nitrurée. Les mesures électriques courant-tension et capacité-tension ont permis d’extraire les paramètres électriques caractérisant les hétérostructures Hg/InN /InP. Une corrélation significative a été constatée entre les caractéristiques physicochimiques et les propriétés électriques. L’étude du recuit des monocouches d’InN sur substrat d’InP montre la présence d’une assez importante quantité d’indium métallique ce qui explique le caractère ohmique de la structure.