Etude et Modélisation de Transistor HEMT (InAlAs/InGaAs) Sur un substrat InP

Abstract

Les transistors à haute mobilité électronique (HEMT) représentent une technologie avancée largement utilisée dans les applications hyperfréquences grâce à leurs excellentes performances en vitesse et en fréquence. Dans ce mémoire, nous avons étudié et modélisé un transistor HEMT à base de l’hétéro structure InAlAs/InGaAs réalisée sur un substrat InP. Une étude des propriétés physiques des matériaux utilisés, notamment l’InAlAs, l’InGaAs et l’InP, a été effectuée afin de comprendre leur influence sur le fonctionnement du composant. Le principe de fonctionnement du transistor HEMT ainsi que ses principales caractéristiques électriques ont également été analysés. Enfin, la modélisation de la structure a permis de mettre en évidence l’intérêt de cette technologie pour les applications micro-ondes et les télécommunications à haut débit.