Analyse du Phénomène de Transport Electronique dans l’InAs et le GaAs par la méthode de Monte Carlo pour la conception d’un transistor PHEMT

Abstract

Le transistor à effet de champ (TEC) est un des composants majeurs utilisé dans les dispositifs électroniques, les premiers transistors (TEC) ont été réalisés en silicium, qui fonctionne avec des fréquences maximales de l’ordre de 1 à 3 Ghz. Afin de disposer de composants pouvant fonctionner à des fréquences plus élevées, le silicium était remplacé par le GaAs. Il possède une mobilité électronique six fois plus élevée que le silicium. Les principaux dispositifs TECs en AsGA utilisés aux fréquences micro-ondes sont les MESFETs pour des applications ne dépassant pas les 30 Ghz, et les HEMTs pour des fréquences plus élevées (100-300 Ghz). Dans le but d’obtenir des performances plus élevées en gain et en fréquence, nous avons effectué une étude électronique comparative entre le GaAs et l’InAs, du point de vue énergétique et dynamique, puis on a changé la couche non dopé du GaAs utilisé dans la réalisation d’un transistor HEMT par une couche de l’InAs.