Effet de la couche absorbante en CIGS sur le rendement d’une cellule photovoltaïque.

Abstract

Le travail présenté dans ce mémoire était porté sur la simulation d’une cellule photovoltaïque à base de CIGS à l’aide de logiciel SCAPS-1D, nous avons pu montrer que les paramètres fondamentaux du fonctionnement (Jcc, Vco, FF, ƞ) d’une cellule solaire sont fortement influencés par un ensemble des paramètres de la couche absorbante en CIGS tels que : son épaisseur, sa concentration de dopage (la densité des porteurs) et son énergie de gap. En prenant une structure qui combine les paramètres optimaux de la couche absorbante en CIGS, nous avons pu atteindre un rendement de conversion qui vaut 26.33% avec un facteur de forme de 85.38% pour une épaisseur de la couche absorbante CIGS de 4μm, une concentration de dopage de 5.10 17cm -3, une énergie de gap de 1.16 eV et une température de 300°K