Simulation et optimisation de diodes électroluminescentes bleues à simple puits quantique BInGaN, InGaN sans et avec barrière arrière BGaN (back-barrier)..

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dc.contributor.authorBouchachia, Badiaen_US
dc.date.accessioned2022-05-15T08:49:45Zen_US
dc.date.available2022-05-15T08:49:45Zen_US
dc.date.issued2019en_US
dc.description.abstractThis work deals with the study of the optoelectronic properties of single-quantum well LEDs using the SILVACO software. The structure that we simulate is a quantum well-based blue light-emitting diode sandwiched between two p-and n-doped GaN layers. In the first part of this work, we study the influence of the AlGaN electron blocking layer on LED performance. In the second part, we carry out a study of the blue LED based on the ByInxGa1-x-yN/GaN (QW) heterostructure. In the third structure, we insert a layer of ternary material, BGaN, as a back barrier layer. The electrical and optical characteristics of InGaN SQW blue LED are greatly enhanced with the use of a BGaN back barrier layer.en_US
dc.description.sponsorshipCe travail porte sur l’étude des propriétés optoélectroniques des LEDs à simple puits quantique en utilisant le logiciel SILVACO. La structure que nous simulons est une diode électroluminescente bleue à base de puits quantique pris en sandwich entre deux couches de GaN dopées respectivement p et n. Dans la première partie de ce travail, nous étudions l’influence de la couche de blocage électronique AlGaN sur les performances des LEDs. Dans la deuxième partie, nous effectuons une étude sur la LED bleue à base de l’hétérostructure ByInxGa1−x−yN/GaN (SQW). Dans la troisième structure, nous insérons une couche de matériau ternaire BGaN comme couche barrière arrière. Les caractéristiques électriques et optiques de la LED bleue à SQW InGaN sont grandement améliorées avec l’utilisation d'une couche de barrière arrière BGaN.en_US
dc.identifier.citationsalle des thèsesen_US
dc.identifier.otherDOC-531.6-107-01en_US
dc.identifier.urihttps://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/18525en_US
dc.language.isofren_US
dc.publisherUniversity of Tlemcenen_US
dc.subjectInGaN, BInGaN, BGaN, light emitting diode, blue light, SILVACO.en_US
dc.subject: InGaN, BInGaN, BGaN, diode électroluminescente, lumière bleue, SILVACO.en_US
dc.titleSimulation et optimisation de diodes électroluminescentes bleues à simple puits quantique BInGaN, InGaN sans et avec barrière arrière BGaN (back-barrier)..en_US
dc.typeThesisen_US

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