Développement Des Propriétés Optiques Et Electroniques Des Nitrures III-V, Amélioration Des Performances Des composants Optoélectroniques

Abstract

Dans les premières années du vingtième siècle les propriétés complexes des semi-conducteurs ont été essentiellement découvertes. L’un des grands domaines d’utilisation des semi-conducteurs est l’optoélectronique, qui se caractérise par l’interaction complexe des électrons et des photons à une échelle nanométrique. De nouveaux matériaux II-VI et III- V ont été utilisés dans l’élaboration des photodiodes. La diminution de la taille des dispositifs rend leurs performances en nette augmentation. Dans notre travail nous avons élaboré trois principales structures PIN à base de couche mince, multi puits quantiques et nanoparticules en utilisant l’indium de nitrure de gallium comme principal matériau de la zone active. Les résultats obtenus de notre simulation par SILVACO et Mathcad ont permis de démontrer le rôle des nanoparticules dans l’amélioration des propriétés électroniques et optique telle que la sensibilité, le rendement et les propriétés de transport. In the early years of the twentieth century the complex properties of semiconductors were essentially discovered. One of the major areas of semiconductor use is optoelectronics, which is characterized by the complex interaction of electrons and photons at a Nano scale. New materials II-VI and III-V were used in the elaboration of photodiodes. The decrease in the size of these devices makes their performance significantly increase. In our work we create three main thin film, multi quantum well and nanoparticle PIN structures using gallium nitride indium as the main material of the active zone. The results obtained from our simulation by SILVACO and Mathcad have demonstrated the usefulness of nanoparticles in improving electronic and optical properties such as responsivity, efficiency and transport properties.