Simulation des performances électriques HEMT Base InAlN/GaN dans la bande Ku-Vsat

Abstract

L'évolution de la nouvelle technologie pour les applications civile et militaire est aujourd’hui d’un intérêt stratégique et commercial majeur. Ces applications permettent de disposer des transistors rapides ayant des caractéristiques intéressantes. Le type de transistor (HEMT) est les plus étudié actuellement pour leurs performances en grande puissance, haute température et en hyperfréquence. Le travail porte sur l’étude et la simulation des comportements statiques et hyperfréquences des transistors HEMT à base InAlN/GaN matériel. Il permet l’analyse détaillé des performances statiques et dynamiques de ces transistors en termes des extraites tous les caractéristiques pour les différents paramètres qui peuvent varier afin de les optimiser dans la bande Ku-Vsat, et obtenir une amélioration significative des performances